（原标题：HBM 4优先配，三星孤注一掷）
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来源 ： 内容 编译自 chosun 。
据报道，三星电子正在加速建设位于平泽的第五家工厂。
据业界7日消息，三星电子平泽第五工厂的施工准备工作已启动，工人们正在现场搬运钢结构并接受安全培训。据悉，该工厂计划最早于下个月全面开工。
三星电子原本计划去年启动第五工厂的建设，但由于半导体业绩不佳、内存订单不足，该公司调整了设备投资时机，放慢了建设步伐。
三星电子平泽工厂占地289万平方米，是全球最大的半导体生产基地。工厂共有六处厂房。自2017年第一家工厂投入运营以来，第四家工厂的部分厂房目前已投入运营。
去年随第五工厂一起延期的第四工厂剩余生产线也正在准备复工优先配，预计下个月开始垂直钢结构安装。
第五工厂将配备一条10纳米第六代（1c）DRAM生产线。三星电子计划采用1c工艺批量生产用于第六代产品HBM4的DRAM。
三星电子近期已通过HBM4的内部量产审批，并正在准备进行样品生产，以便与客户进行供货谈判。
三星HBM战略转变
三星电子正积极推进高带宽存储器（HBM）市场的重大转型。他们似乎正在发起大规模生产攻势，以便及时完成下一代产品的质量认证（资质测试）。在董事长李在镕的支持下，三星电子副董事长全永铉正为这一举措投入全部精力。所有人的目光都集中在三星电子能否重夺其存储器霸主地位上。
据业内人士3日透露，三星电子正在量产其第六代HBM （HBM4）样品，据报道产量约为 10,000片晶圆。对于样品生产量而言，这是一个异常高的产量。
据信，产量过高是由于良品率（成品中良品率）尚未达到高水平。三星电子的 HBM4 核心芯片（单片 DRAM）采用了 10nm级第六代（1c） DRAM。 SK海力士和美光与其第五代HBM（HBM3E）一样，采用10nm级第五代（1b） DRAM。
虽然1b DRAM已经实现商业化，但1cDRAM尚未完全成熟。因此，基于1c DRAM生产HBM4的三星电子与竞争对手相比处于劣势。尽管如此，三星电子还是利用其卓越的极紫外（EUV）工艺和压倒性的产能优先配，抢先采用了下一代DRAM。
最终，三星电子正在生产HBM4样品，即使这意味着要过分努力，以弥补其成熟度的不足。这是在与SK海力士和美光相比不可避免的初始产量较低的情况下制定的战略举措。诚然，三星电子在HBM市场仍然落后，其未能通过HBM3E质量测试就是明证。幸运的是，HBM3E被视为HBM4之前的垫脚石。普遍的观点是，真正的游戏将在 HBM4上展开。
三星电子计划尽可能多地获取高质量HBM4芯片，以便与竞争对手同步进入NVIDIA的供应链。SK海力士已于3月向NVIDIA交付了HBM4样品，美光则于6月交付。三星电子预计将于7月左右出货，如果能瞄准第一季度，则有望取得几乎相同的开局。
除了积极争取样品外，三星电子还宣布了一项突破性的定价政策。即使不计核心芯片，HBM4的生产成本也会显著增加，这是因为HBM4需要外包基础芯片（逻辑芯片）、減少净芯片数量（每片晶圆的生产量）以及增加输入/输出（1/0）端子。
业内人士估计，12层HBM4的价格将比12层HBM3E高出60-70%。据报道，领头羊SK海力士正在寻求至少30-40%的单价溢价。
问题在于NVIDIA想要更低的价格。虽然NVIDIA下一代人工智能 （AI）半导体Rubin的开发延迟起了一定作用，但与SK海力士就HBM4进行谈判的真正原因是价格分歧。这是NVIDIA为了夺取谈判主导权而采取的举措，NVIDIA正在考虑美光和三星电子等替代方案。
三星电子更注重的是站稳脚跟，而不是盈利。据了解，三星电子正在考虑低于20%的溢价，几乎没有留下任何利润空间。
一位半导体业内人士解释说：“前任负责半导体部门的副会长现在兼任内存业务负责人，这使得快速而大胆的决策成为可能。据我了解，李健熙会长也會敦促‘（HBM业务）不要在手段上挑剔’。这就是三星电子能够容忍极端单价的原因。”
此外，李健熙会长最近在美国出差期间会见了NVIDIA CEO黄仁勋。两人拥抱的场景引起了全球关注。李健熙会长当时的积极态度被认为体现了他对HBM合作的决心。
一些人认为，三星电子的激进举动令人想起了过去的“胆小鬼博弈”。在内存市场低迷时期，三星电子曾通过激烈竞争来捍卫其在内存市场的地位，并击败了来自日本和台湾的竞争对手。如今，所有人都在关注着拥有雄厚财力和产能优势的三星电子是否会重演这场“胆小鬼博弈”。
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今天是《半导体行业观察》为您分享的第4150期内容，欢迎关注。
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